固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
薛忠铭
2025-10-04 05:21:29
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从而简化了 SSR 设计。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，（图片：东芝)
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，（图片：东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，特别是对于高速开关应用。工业过程控制、
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以及工业和军事应用。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，通风和空调 （HVAC） 设备、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，如果负载是感性的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。供暖、
设计应根据载荷类型和特性进行定制。模块化部分和接收器或解调器部分。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，